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          GaN 分立器件

          峰值功率50W到700W; 工作頻率最高支持6GHz; 第三代化合物半導體工藝,效率更高、工作帶寬寬; 封裝材料自主開發設計,具有低成本、高氣密性、高熱導率、高良率。

          • Min.?Freq.(MHz)
            3400
            2500
            758
            2110
            2500
          • Max.?Freq.
            3600
            2700
            960
            2170
          • VDD(V)
            48
          • Pavg(dBm)
            47.4
            50.5
            41.8
          • DE@Pavg
            48.7
            52
            65
            57
            57.5
          • Gain(dB)
            14.5
            18.2
            15.5
            16
          • ACPR(dBc)
            -27
            -26
            -25
            -31
          • Test?Freq.
            3500
            2600
            780
            2140
            2600
          • MP?Status
            MP
            Q2/2022
            Q3/2022
          • Package
            ACC2110S-4L
            ACS2110S-4L
            QFN7*6.5
          • Process
            GaN

          顯示6種產品

          產品型號
          Min.?Freq.(MHz)
          Max.?Freq.
          VDD(V)
          Pavg(dBm)
          DE@Pavg
          Gain(dB)
          ACPR(dBc)
          Test?Freq.
          MP?Status
          Package
          Process
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